Transcend SSD MTE112S 512 GB NVMe PCIe Gen3 x4

Niezwykła wydajność dla zaawansowanych aplikacji Dysk Transcend 110S jest zgodny z interfejsem NVMe 1.3 i wykorzystuje interfejs PCIe ™ Gen3x4. Oznacza to, że używa ​​czterech torów do jednoczesnego przesyłania i odbierania danych, co skutkuje imponującą wydajnością odczytu do 1700 MB/s oraz zapisu do 1400 MB/s. Pamięć wyposażona jest w nowoczesny standard NVM Express®, który został zaprojektowany w celu spełnienia wymagań aplikacji korporacyjnych i klienckich. Interfejs PCI Express Interfejs PCI Express® jest znacznie szybszy niż SATA do łączenia komputera z półprzewodnikowymi urządzeniami pamięci masowej przez jedną lub więcej linii składających się z jednego interfejsu transmisji i jednego interfejsu szeregowego na każdej linii, co oznacza, że dysk może lepiej spełniać nowe wymagania dotyczące wydajności. Nowy wymiar wydajności W przeciwieństwie do starszych układów NAND, pamięć flash 3D NAND jest rodzajem pamięci flash, w której komórki pamięci są ułożone pionowo w wielu warstwach. Technologia 3D NAND została opracowana w celu przełamania ograniczeń gęstości płaskiej pamięci NAND 2D, dzięki czemu może zapewnić wyższy poziom wydajności i wytrzymałości. Lepsza wytrzymałość oraz wyższa niezawodność Dysk Transcend 112S został zaprojektowany z wykorzystaniem kodowania LDPC i potężnego algorytmu ECC, by zapewnić bezpieczeństwo twoich danych. Wyprodukowany z wysokiej jakości chipów NAND flash i opracowanego dynamicznego mechanizmu dławienia termicznego, dysk 112S gwarantuje doskonałą wytrzymałość i stabilność, idealnie nadając się do zastosowań z najwyższej półki. Aby zapewnić najwyższy poziom jakości, dyski SSD Transcend przechodzą rygorystyczne testy na wszystkich etapach produkcji, w tym testy wibracji, temperatury i wilgotności, szybkości i funkcjonalności. Nominalny czas pracy: 2 mln godzin;Szyfrowanie sprzętowe: Nie;Format dysku: M.2 2280;Kontroler: Brak danych;Rodzaj kości pamięci: TLC;Interfejs: PCI-E x4 Gen3 NVMe;Pojemność dysku: 512GB;Szybkość zapisu: 1400 MB/s;Klucz: M;Szybkość odczytu: 1700 MB/s;TBW (Total Bytes Written): 200 TB;Zapis losowy: 250000 IOPS;Odczyt losowy: 160000 IOPS;Grubość: 3.58 mm;Pamięć podręczna: Brak danych;Model: 112S;Radiator: Nie